2025/03/18 03:01:08
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IT之家 3 月 17 日消息,三星电子代表 Song Jai-hyuk 在 2 月的 IEEE ISSCC 2025 全体会议演讲中对 HBM 内存的未来技术演进进行了展望,提到了通过定制版本缩减 I/O 面积占用和在基础芯片中直接集成加速器单元两种思路。
定制 HBM
目前的 HBM 内存在 xPU 处理器和 HBM 基础裸片 Base Die 之间采用数以千计的 PHY I/O 互联,而定制版本则采用更高效率的 D2D 裸片对裸片互联,这一结构 缩短了两芯片间距、减少了 I/O 数量、拥有更出色的能效 。
同时,D2D 互联的面积占用较现有方式更低,这为 xPU 和 Base Die 塞入更多芯片 IP 创造了可能。
另一点值得注意的是,在定制 HBM 结构中,LPDDR 控制器 / PHY 和 HBM 控制器从 xPU 芯片移动到了 HBMBase Die 中。
3D 集成 HBM
目前的 HBM 内存与处理器采用 2.5D 封装,而这一结构也意味着 HBM 的功耗大部分浪费在数据搬运的过程中。
未来的 HBM 有望采取 3D 集成的形式,即直接在基础芯片中内置加速器单元, 加速器通过 TSV 硅通孔与 DRAM 芯片直连 ,这一设计省略了现有结构中需要经过的复杂中介层,提高了数据传输能效。
三星展望未来 HBM:定制款缩减 I/O 面积占用、基础芯片嵌加速器
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